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IGBT模塊的全稱:“絕緣柵雙極型晶體管”,是由BJT(雙極型三極管)MOS(絕柵型場效應管)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件,綜合了BJT和MOS兩種器件優點,具有驅動功率小和飽和壓低的優點。
IGBT模塊是用來實現直流電變成可以控製的交流電這一逆變功能的器件可以在幾十KHZ的頻率範圍內正常工作,廣泛應用於變頻器等各類電子裝置。它是用來將直流電變成可以控製的交流電這一逆變功能的器件。